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TGL41-82CE3

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 66.4V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-213AB,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小187KB,共4页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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TGL41-82CE3概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 66.4V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-213AB,

TGL41-82CE3规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
包装说明O-PELF-R2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大击穿电压90.2 V
最小击穿电压73.8 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-213AB
JESD-30 代码O-PELF-R2
最大非重复峰值反向功率耗散500 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散3 W
最大重复峰值反向电压66.4 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
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