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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N914
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1N914

产品描述0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小39KB，共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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1N914概述

0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

0.2 A, 100 V, 硅, 信号二极管, DO-35

1N914规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codecompli
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-204AH
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流0.075 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.25 W
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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1N914/A/B
FEATURES :
• High switching speed: max. 4 ns
• Continuous reverse voltage:max. 75 V
• Repetitive peak reverse voltage:max. 100 V
• Repetitive peak forward current: max. 225 mA
• Pb / RoHS Free
HIGH SPEED SWITCHING DIODES
DO - 35 Glass
(DO-204AH)
0.079(2.0 )max.
1.00 (25.4)
min.
Cathode
Mark
0.150 (3.8)
max.
MECHANICAL DATA :
Case:
DO-35 Glass Case
Weight:
approx. 0.13g
0.020 (0.52)max.
1.00 (25.4)
min.
Dimensions in inches and ( millimeters )
Maximum Ratings and Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum Continuous Reverse Voltage
Maximum Continuous Forward Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Repetitive Peak Forward Current
Maximum Non-repetitive Peak Forward Current at t = 1s
Maximum Junction Temperature
Storage Temperature Range
(Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified.)
Symbol
V
RRM
V
RM
I
F
P
D
I
FRM
I
FSM
T
J
T
S
(T
J
= 25°C unless otherwise noted)
Value
100
75
75
250
225
0.5
175
-65 to + 200
Unit
V
V
mA
mW
mA
A
°C
°C
Electrical Characteristics
Parameter
Reverse Current
Symbol
I
R
1N914
1N914A
1N914B
1N914B
Test Condition
V
R
= 20 V
V
R
= 20 V , Tj = 150
°C
I
F
= 10 mA
I
F
= 20 mA
I
F
= 5 mA
I
F
= 100 mA
f = 1MHz ; V
R
= 0
I
F
= 10 mA to I
R
= 60 mA
R
L
= 100
Ω
; measured
at I
R
= 1mA
Min
-
-
-
-
0.62
-
-
-
Typ
-
-
-
-
-
-
-
-
Max
25
50
1.0
1.0
0.72
1.0
4.0
4
Unit
nA
μA
V
V
V
V
pF
ns
Forward Voltage
V
F
Diode Capacitance
Reverse Recovery Time
Cd
Trr
Page 1 of 2
Rev. 03 : March 25, 2005

1N914相似产品对比

1N914 1N914B 1N914A
描述 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
包装说明 O-LALF-W2 DO-35, 2 PIN DO-35, 2 PIN
Reach Compliance Code compli compli compli
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-204AH DO-204AH DO-204AH
JESD-30 代码 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
最大输出电流 0.075 A 0.075 A 0.075 A
封装主体材料 GLASS GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大功率耗散 0.25 W 0.25 W 0.25 W
最大重复峰值反向电压 100 V 100 V 100 V
最大反向恢复时间 0.004 µs 0.004 µs 0.004 µs
表面贴装 NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
厂商名称 EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] -

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