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1N758A

产品描述10 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小30KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
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1N758A概述

10 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35

10 V, 0.5 W, 硅, 单向电压稳压二极管, DO-35

1N758A规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
额定工作电压10 V
加工封装描述DO-35, 2 PIN
状态ACTIVE
包装形状ROUND
包装尺寸LONG FORM
端子形式WIRE
端子涂层TIN LEAD
端子位置AXIAL
包装材料UNSPECIFIED
工艺ZENER
结构SINGLE
壳体连接ISOLATED
二极管元件材料SILICON
最大功耗极限0.5000 W
极性UNIDIRECTIONAL
二极管类型VOLTAGE REGULATOR DIODE
工作测试电流20 mA
最大总参考电压5 %

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1N746A - 1N759A
V
Z
:
3.3 to 12V
P
D
:
500mW
FEATURES :
• Silicon planar power zener diodes.
• Standard zener voltage tolerance is
±
5%
• Other tolerances are available upon request.
• Pb / RoHS Free
ZENER DIODES
DO - 35 Glass
(DO-204AH)
0.079(2.0 )max.
1.00 (25.4)
min.
Cathode
Mark
0.150 (3.8)
max.
MECHANICAL DATA :
Case:
DO-35 Glass Case
Weight:
approx. 0.13g
0.020 (0.52)max.
1.00 (25.4)
min.
Dimensions in inches and ( millimeters )
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified.
Maximum Ratings and Thermal Characteristics
Parameter
Zener Current see Table "Characteristics"
Maximum Forward Voltage at I
F
= 200 mA.
Power Dissipation at T
L
= 75°C
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Junction temperature
Storage temperature range
V
F
P
D
R
θ
JA
T
J
T
S
1.2
500
(1)
300
(2)
175
-65 to + 150
V
mW
°C/W
°C
°C
Symbol
Value
Unit
Notes:
(1) T
L
is measured 3/8” from body.
(2) Valid provided that leads at a distance of 3/8” from case are kept at ambient temperature.
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