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1N4934G

产品描述1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小33KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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1N4934G概述

1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

1N4934G规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Codecompli
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
元件数量1
最高工作温度175 °C
最大输出电流1 A
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.2 µs
表面贴装NO

1N4934G相似产品对比

1N4934G 1N4935G 1N4937G 1N4933G 1N4936G
描述 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 SIGNAL DIODE SIGNAL DIODE 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
是否无铅 不含铅 - 不含铅 不含铅 -
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 -
厂商名称 EIC [EIC discrete Semiconductors] - EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] -
Reach Compliance Code compli - compli compli -
配置 SINGLE - SINGLE SINGLE -
二极管类型 RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE -
最大正向电压 (VF) 1.2 V - 1.2 V 1.2 V -
元件数量 1 - 1 1 -
最高工作温度 175 °C - 175 °C 175 °C -
最大输出电流 1 A - 1 A 1 A -
最大重复峰值反向电压 100 V - 600 V 50 V -
最大反向恢复时间 0.2 µs - 0.2 µs 0.2 µs -
表面贴装 NO - NO NO -

 
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