1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | EIC [EIC discrete Semiconductors] |
Reach Compliance Code | compli |
配置 | SINGLE |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1.2 V |
元件数量 | 1 |
最高工作温度 | 175 °C |
最大输出电流 | 1 A |
最大重复峰值反向电压 | 100 V |
最大反向恢复时间 | 0.2 µs |
表面贴装 | NO |
1N4934G | 1N4935G | 1N4937G | 1N4933G | 1N4936G | |
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描述 | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 | SIGNAL DIODE | SIGNAL DIODE | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
是否无铅 | 不含铅 | - | 不含铅 | 不含铅 | - |
是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 | 符合 | - |
厂商名称 | EIC [EIC discrete Semiconductors] | - | EIC [EIC discrete Semiconductors] | EIC [EIC discrete Semiconductors] | - |
Reach Compliance Code | compli | - | compli | compli | - |
配置 | SINGLE | - | SINGLE | SINGLE | - |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE | - | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | - |
最大正向电压 (VF) | 1.2 V | - | 1.2 V | 1.2 V | - |
元件数量 | 1 | - | 1 | 1 | - |
最高工作温度 | 175 °C | - | 175 °C | 175 °C | - |
最大输出电流 | 1 A | - | 1 A | 1 A | - |
最大重复峰值反向电压 | 100 V | - | 600 V | 50 V | - |
最大反向恢复时间 | 0.2 µs | - | 0.2 µs | 0.2 µs | - |
表面贴装 | NO | - | NO | NO | - |
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