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1N4933

产品描述1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小47KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
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1N4933概述

1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE

1 A, 50 V, 硅, 信号二极管

1N4933规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述HERMETIC SEALED PACKAGE-2
状态DISCONTINUED
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子位置AXIAL
包装材料玻璃
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型信号二极管
反向恢复时间最大0.2000 us
最大重复峰值反向电压50 V
最大平均正向电流1 A

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1N4933 - 1N4937
PRV : 50 - 600 Volts
Io : 1.0 Amperes
FEATURES :
*
*
*
*
*
*
High current capability
High surge current capability
High reliability
Low reverse current
Low forward voltage drop
Fast switching for high efficiency
FAST RECOVERY
RECTIFIER DIODES
DO - 41
0.107 (2.7)
0.080 (2.0)
1.00 (25.4)
MIN.
0.205 (5.2)
0.166 (4.2)
* Pb / RoHS Free
MECHANICAL DATA :
* Case : DO-41 Molded plastic
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,
Method 208 guaranteed
* Polarity : Color band denotes cathode end
* Mounting position : Any
* Weight : 0.34 gram
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
1.00 (25.4)
MIN.
Dimensions in inches and ( millimeters )
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
RATING
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current
0.375"(9.5mm) Lead Length
Ta = 50
°C
Maximum Peak Forward Surge Current,
8.3ms Single half sine wave Superimposed
on rated load (JEDEC Method)
Maximum Peak Forward Voltage at I
F
= 1.0 Amp.
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Ta = 25
°C
Ta = 100
°C
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
I
R(H)
Trr
1N4933
50
35
50
1N4934
100
70
100
1N4935
200
140
200
1.0
30
1.2
5.0
100
150
15
- 65 to + 150
- 65 to + 150
1N4936
400
280
400
1N4937
600
420
600
UNIT
V
V
V
A
A
V
µA
µA
ns
pf
°C
°C
Maximum Reverse Recovery Time ( Note 1 )
Typical Junction Capacitance ( Note 2 )
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
C
J
T
J
T
STG
Notes :
( 1 ) Reverse Recovery Test Conditions : I
F
= 0.5 A, I
R
= 1.0 A, Irr = 0.25 A.
( 2 ) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 V
DC
Page 1 of 2
Rev. 02 : March 24, 2005

1N4933相似产品对比

1N4933 1N4934 1N4937 1N4935 1N4936
描述 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
端子数量 2 - 2 - 2
元件数量 1 - 1 - 1
端子形式 线 - WIRE - WIRE
端子位置 AXIAL - AXIAL - AXIAL
二极管元件材料 - SILICON - SILICON
二极管类型 信号二极管 - RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE
最大重复峰值反向电压 50 V - 600 V - 400 V

 
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