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1N4739

产品描述9.1 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小86KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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1N4739概述

9.1 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41

1N4739规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗5 Ω
元件数量1
最高工作温度175 °C
最大功率耗散1 W
标称参考电压9.1 V
表面贴装NO
最大电压容差10%
工作测试电流28 mA

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Certificate TH97/10561QM
Certificate TW00/17276EM
1N4728 - 1N4764
Z1110 - Z1200
V
Z
: 3.3 - 200 Volts
P
D
: 1 Watt
FEATURES :
* Complete voltage range 3.3 to 200 Volts
* High peak reverse power dissipation
* High reliability
* Low leakage current
* Pb / RoHS Free
SILICON ZENER DIODES
DO - 41
0.108 (2.74)
0.078 (1.99)
1.00 (25.4)
MIN.
0.205 (5.20)
0.161 (4.10)
MECHANICAL DATA
* Case : DO-41 Molded plastic
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,
method 208 guaranteed
* Polarity : Color band denotes cathode end
* Mounting position : Any
* Weight : 0.335 gram
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
1.00 (25.4)
MIN.
Dimensions in inches and ( millimeters )
MAXIMUM RATINGS
Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified
Rating
DC Power Dissipation at T
L
= 50 °C (Note1)
Maximum Forward Voltage at I
F
= 200 mA
Maximum Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note2)
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
P
D
V
F
R
ӨJA
T
J
T
STG
Value
1.0
1.2
170
- 55 to + 175
- 55 to + 175
Unit
Watt
Volts
K/W
°C
°C
Notes :
(1) T
L
= Lead temperature at 3/8 " (9.5mm) from body
(2) Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case.
Fig. 1 POWER TEMPERATURE DERATING CURVE
P
D
, MAXIMUM DISSIPATION
(WATTS)
1.25
L = 3/8" (9.5mm)
1.00
0.75
0.50
0.25
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
L,
LEAD TEMPERATURE (
°
C)
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Rev. 07 : November 5, 2007
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