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1N4688

产品描述4.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小108KB,共3页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
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1N4688概述

4.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35

1N4688规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codecompli
其他特性LOW NOISE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-204AH
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压4.7 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
最大电压容差5%
工作测试电流0.05 mA

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Certificate TH97/10561QM
Certificate TW00/17276EM
1N4678 - 1N4717
V
Z
:
1.8 - 43 V
P
D
:
500 mW
FEATURES :
* Zener voltage specified at 50 µA
* Maximum delta V
Z
given from 10 µA to 100 µA
* Very high stability
* Low noise
* Pb / RoHS Free
ZENER DIODES
DO - 35 Glass
(DO-204AH)
0.079(2.0 )max.
1.00 (25.4)
min.
Cathode
Mark
0.150 (3.8)
max.
0.020 (0.52)max.
1.00 (25.4)
min.
MECHANICAL DATA :
Case:
DO-35 Glass Case
Weight:
approx. 0.13g
Dimensions in inches and ( millimeters )
Maximum Ratings and Thermal Characteristics
Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specifie
Parameter
Power Dissipation
at T
L
50 °C (Note1)
Maximum Forward Voltage at I
F
= 200 mA
Thermal Resistance Junction to Ambient
Thermal Resistance Junction to Lead
Operating and Storage Temperature Range
Note :
Symbol
P
D
V
F
R
ӨJA
R
ӨJL
T
J
, T
STG
Value
500
1.1
310
250
-65 to + 175
Unit
mW
V
°C/W
°C/W
°C
(1) At 3/8" (10 mm) lead length from body, when mounted on FR4 PC board as described for thermal resistance.
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