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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N4249
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1N4249

产品描述1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AP
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小94KB，共1页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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1N4249概述

1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AP

1 A, 1000 V, 硅, 信号二极管, DO-204AP

1N4249规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Codecompli
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向恢复时间5 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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Certificate TH97/10561QM
Certificate TW00/17276EM
1N4245 - 1N4249
PRV : 200 - 1000 Volts
Io : 1.0 Ampere
FEATURES :
*
*
*
*
*
*
Glass passivated chip
High forward surge current capability
High reliability
Low reverse current
Low forward voltage drop
Pb / RoHS Free
GLASS PASSIVATED JUNCTION
SILICON RECTIFIERS
M1A
0.085(2.16)
0.075(1.91)
1.00 (25.4)
MIN.
0.138(3.51)
0.122(3.10)
MECHANICAL DATA :
* Case : M1A Molded plastic
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,
Method 208 guaranteed
* Polarity : Color band denotes cathode end
* Mounting position : Any
* Weight : 0.20 gram (approximately)
0.024(0.60)
0.022(0.55)
1.00 (25.4)
MIN.
Dimensions in inches and ( millimeters )
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
RATING
Maximum Working Peak Reverse Voltage
Minimum Breakdown Voltage @ 100
μA
Maximum Average Forward Current at Ta = 55 °C
Peak Forward Surge Current
8.3 ms Single half sine wave Superimposed
on rated load (JEDEC Method)
Maximum Forward Voltage at I
F
= 3.0 A
Maximum Reverse Current
at V
RWM
, Ta = 25 °C
at V
RWM
, Ta = 150 °C
Maximum Reverse Recovery Time ( Note 1 )
Thermal Resistance , Junction to Lead (Note 2)
Operating Junction and Storage Temperature Range
SYMBOL 1N4245 1N4246 1N4247 1N4248 1N4249
V
RWM
V
BR(MIN)
I
F(AV)
I
FSM
200
240
400
480
600
720
1.0
800
960
1000
1150
UNIT
V
V
A
25
A
V
F
I
R
I
R(H)
Trr
R
ӨJL
T
J
, T
STG
1.3
1.0
150
5.0
42
-65 to +175
V
μA
μs
°C/W
°C
Notes :
(1) Reverse Recovery Test Conditions : I
F
= 0.5 A, I
RM
= 1.0 A, I
R(REC)
= 0.25 A.
(2) At 3/8"(10 mm) lead length form body.
Page 1 of 1
Rev. 03 : November 2, 2006

1N4249相似产品对比

1N4249 1N4245 1N4247 1N4246 1N4248
描述 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AP 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AP 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AP 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 1000 V 200 V 600 V 400 V 800 V
最大反向恢复时间 5 µs 5 µs 5 µs 5 µs 5 µs
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
厂商名称 EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] - EIC [EIC discrete Semiconductors] -

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