1N4006: 产品描述1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小44KB，共2页; 制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]

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1N4006概述

1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

1 A, 800 V, 硅, 信号二极管, DO-41

1N4006规格参数

参数名称	属性值
端子数量	2
元件数量	1
加工封装描述	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-204AL, 2 PIN
状态	ACTIVE
包装形状	ROUND
包装尺寸	LONG FORM
端子形式	WIRE
端子涂层	NOT SPECIFIED
端子位置	AXIAL
包装材料	PLASTIC/EPOXY
结构	SINGLE
壳体连接	ISOLATED
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	SIGNAL DIODE
最大重复峰值反向电压	800 V
最大平均正向电流	1 A

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1N4001 - 1N4007

BY133

PRV : 50 - 1300 Volts

Io : 1.0 Ampere

FEATURES :

High current capability

High surge current capability

High reliability

Low reverse current

Low forward voltage drop

Pb / RoHS Free

SILICON RECTIFIER DIODES

DO - 41

0.107 (2.7)

0.080 (2.0)

1.00 (25.4)

MIN.

0.205 (5.2)

0.166 (4.2)

0.034 (0.86)

0.028 (0.71)

1.00 (25.4)

MIN.

MECHANICAL DATA :

* Case : DO-41 Molded plastic

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,

Method 208 guaranteed

* Polarity : Color band denotes cathode end

* Mounting position : Any

* Weight : 0.34 gram

Dimensions in inches and ( millimeters )

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25

C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

RATING

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward Current

0.375"(9.5mm) Lead Length Ta = 75

°C

Maximum Peak Forward Surge Current

8.3ms Single half sine wave Superimposed

on rated load (JEDEC Method)

Maximum Forward Voltage at I

= 1.0 Amp.

Maximum DC Reverse Current

Ta = 25

°C

at rated DC Blocking Voltage

Ta = 100

°C

Typical Reverse Revcovery Time

= 0.5 A, I

= 1.0 A, Irr = 0.25 A.)

Typical Junction Capacitance (Note1)

Typical Thermal Resistance (Note2)

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

SYMBOL

1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 BY133

UNIT

RRM

RMS

F(AV)

100

200

140

200

400

280

400

1.0

600

420

600

800

560

800

1000

700

1000

1300

1000

1300

FSM

R(H)

Trr

STG

1.1

5.0

2.0

- 65 to + 175

µA

µs

°C/W

°C

Notes :

(1) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0VDC

(2) Thermal resistance from Junction to Ambient at 0.375" (9.5mm) Lead Lengths, P.C. Board Mounted.

Page 1 of 2

Rev. 05 : March 25, 2005

1N4006相似产品对比

	1N4006	1N4005	1N4002	1N4007	1N4003	1N4004	BY133
描述	1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41	1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41	1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41	1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41	1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41	1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41	1 A, 1300 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
元件数量	1	1	1	1	1	1	1
二极管类型	SIGNAL DIODE	信号二极管	信号二极管	信号二极管	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大重复峰值反向电压	800 V	600 V	100 V	1000 V	200 V	400 V	1300 V
端子数量	2	2	2	2	2	2	-
状态	ACTIVE	ACTIVE	TRANSFERRED	ACTIVE	-	-	-
包装形状	ROUND	圆	圆	圆	-	-	-
包装尺寸	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	-	-	-
端子形式	WIRE	线	线	线	WIRE	WIRE	-
端子位置	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	-
包装材料	PLASTIC/EPOXY	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	-	-	-
结构	SINGLE	单一的	单一的	单一的	-	-	-
壳体连接	ISOLATED	隔离	隔离	隔离	-	-	-
二极管元件材料	SILICON	硅	硅	硅	SILICON	SILICON	-
最大平均正向电流	1 A	1 A	1 A	1 A	-	-	-

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