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MSS40,045-P55

产品描述SILICON, MEDIUM BARRIER SCHOTTKY,mm WAVE BAND, MIXER DIODE, HERMETIC SEALED, CERAMIC, CASE P55, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小185KB,共4页
制造商Cobham Semiconductor Solutions
标准  
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MSS40,045-P55概述

SILICON, MEDIUM BARRIER SCHOTTKY,mm WAVE BAND, MIXER DIODE, HERMETIC SEALED, CERAMIC, CASE P55, 2 PIN

MSS40,045-P55规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Cobham Semiconductor Solutions
包装说明O-CEMW-N2
针数2
制造商包装代码CASE P55
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ANODE
配置SINGLE
最大二极管电容0.27 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)0.42 V
频带MILLIMETER WAVE BAND
JESD-30 代码O-CEMW-N2
JESD-609代码e4
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最大输出电流0.05 A
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式MICROWAVE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.1 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压3 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层GOLD
端子形式NO LEAD
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
肖特基势垒类型MEDIUM BARRIER

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MSS40,000 Series
Medium Barrier Silicon Schottky Diodes
Description
The Aeroflex / Metelics MSS40,000 Series of Schottky diodes
are fabricated on N-Type epitaxial substrates using proprietary
processes that yield the highest FCOs in the industry. Optimum
mixer performance is obtained with LO power of 0 dBm to +6
dBm per diode.
Features
V
F
, R
D
and C
J
matching options
Chip, beam lead or packaged devices
Hi-Rel screening per MIL-PRF-19500
and MIL-PRF-38534 available
Absolute Maximum Ratings
Parameters
Reverse Voltage
Forward Current
Operation Temperature
Storage Temperature
Power Dissipation
Soldering Temperature (Packaged)
Beam Lead Pull Strength
Rated V
BR
50 mA
-65 ºC to +1 ºC
50
-65 ºC to +1 ºC
50
100 mW per junction at T
A
= 25 ºC, derate
linearly to zero at T
A
= +1 ºC
50
+ 260 ºC for 5 sec.
4 grams minimum
Rating
Chip
Electrical Specifications,
T
A
= 25 ºC
V
F
V
BR
MIN
C
J
TYP / MAX
R
S
TYP
R
D
MAX
F
CO
TYP
Model
MSS40,045-C1
5
MSS40,048-C1
5
Test
Conditions
Configuration
TYP
Outline
V
V
pF
GHz
Single Junction
Single Junction
0.42
0.40
I
F
= 1
mA
3
3
I
R
=
10
μA
0.09 / 0.1
2
0.1 / 0.1
2
5
V
R
= 0 V
F = 1 MHz
7
7
1
5
1
5
253
190
C1
5
C1
5
I
F
= 5 mA
Revision Date: 05/20/05

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