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HUF76423D3S

产品描述20A, 60V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小882KB,共11页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
标准  
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HUF76423D3S概述

20A, 60V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA

HUF76423D3S规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称Rochester Electronics
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)20 A
最大漏源导通电阻0.04 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级NOT APPLICABLE
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态COMMERCIAL
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

HUF76423D3S相似产品对比

HUF76423D3S HUF76423D3
描述 20A, 60V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 20A, 60V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
是否无铅 不含铅 不含铅
厂商名称 Rochester Electronics Rochester Electronics
Reach Compliance Code unknown unknown
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V
最大漏极电流 (ID) 20 A 20 A
最大漏源导通电阻 0.04 Ω 0.04 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252AA TO-251AA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3
湿度敏感等级 NOT APPLICABLE NOT SPECIFIED
元件数量 1 1
端子数量 2 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT APPLICABLE NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 COMMERCIAL COMMERCIAL
表面贴装 YES NO
端子面层 MATTE TIN NOT SPECIFIED
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT APPLICABLE NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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