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GBU810: 产品描述8 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小47KB，共2页; 制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]; 标准

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GBU810概述

8 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

8 A, 1000 V, 硅, 桥式整流二极管

GBU810规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	EIC [EIC discrete Semiconductors]
包装说明	R-PSFM-T4
Reach Compliance Code	compli
最小击穿电压	1000 V
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流	200 A
元件数量	4
相数	1
端子数量	4
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	8 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
参考标准	TS 16949
最大重复峰值反向电压	1000 V
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

GBU810相似产品对比

	GBU810	GBU806	GBU801	GBU8005	GBU804	GBU802	GBU808
描述	8 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	8 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	3.2 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	3.2 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	8 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	8 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	8 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大非重复峰值正向电流	200 A	200 A	200 A	200 A	200 A	200 A	200 A
元件数量	4	4	4	4	4	4	4
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
最大输出电流	8 A	8 A	8 A	8 A	8 A	8 A	8 A
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压	1000 V	600 V	100 V	50 V	400 V	200 V	800 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
是否无铅	不含铅	不含铅	-	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
厂商名称	EIC [EIC discrete Semiconductors]	EIC [EIC discrete Semiconductors]	-	-	EIC [EIC discrete Semiconductors]	-	EIC [EIC discrete Semiconductors]
包装说明	R-PSFM-T4	R-PSFM-T4	-	R-PSFM-T4	R-PSFM-T4	R-PSFM-T4	R-PSFM-T4
最小击穿电压	1000 V	600 V	-	50 V	400 V	200 V	800 V
二极管元件材料	SILICON	SILICON	-	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
JESD-30 代码	R-PSFM-T4	R-PSFM-T4	-	R-PSFM-T4	R-PSFM-T4	R-PSFM-T4	R-PSFM-T4
相数	1	1	-	1	1	1	1
端子数量	4	4	-	4	4	4	4
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	-	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
参考标准	TS 16949	TS 16949	-	TS 16949	TS 16949	TS 16949	TS 16949
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	-	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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