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GBU8B

产品描述8 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小45KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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GBU8B概述

8 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

GBU8B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Codecompliant
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量4
最高工作温度150 °C
最大输出电流8 A
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
Base Number Matches1

GBU8B相似产品对比

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描述 8 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 8 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 8 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 6 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 6 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 6 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code compliant compliant compli compliant compli compli compli
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大非重复峰值正向电流 200 A 200 A 200 A 200 A 200 A 200 A 200 A
元件数量 4 4 4 4 4 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 8 A 8 A 8 A 8 A 8 A 8 A 8 A
最大重复峰值反向电压 100 V 200 V 400 V 600 V 50 V 800 V 1000 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
厂商名称 EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] - EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors]
最大正向电压 (VF) 1 V 1 V 1 V 1 V - - -
Base Number Matches 1 1 1 1 - - -
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