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M5M418125AJ-6ST

产品描述EDO DRAM, 128KX8, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
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文件大小677KB,共23页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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M5M418125AJ-6ST概述

EDO DRAM, 128KX8, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24

M5M418125AJ-6ST规格参数

参数名称属性值
厂商名称Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ,
针数24
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-J24
长度17.15 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量24
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
刷新周期256
座面最大高度3.55 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度7.62 mm

M5M418125AJ-6ST相似产品对比

M5M418125AJ-6ST M5M418125AJ-6T M5M418125AJ-7ST M5M418125AJ-5T M5M418125AJ-5ST M5M418125AJ-7T
描述 EDO DRAM, 128KX8, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 EDO DRAM, 128KX8, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 EDO DRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 EDO DRAM, 128KX8, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 EDO DRAM, 128KX8, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 EDO DRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
厂商名称 Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ
包装说明 SOJ, SOJ, SOJ, SOJ, SOJ, SOJ,
针数 24 24 24 24 24 24
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 60 ns 60 ns 70 ns 50 ns 50 ns 70 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码 R-PDSO-J24 R-PDSO-J24 R-PDSO-J24 R-PDSO-J24 R-PDSO-J24 R-PDSO-J24
长度 17.15 mm 17.15 mm 17.15 mm 17.15 mm 17.15 mm 17.15 mm
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 24 24 24 24 24 24
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 256 512 256 512 256 512
座面最大高度 3.55 mm 3.55 mm 3.55 mm 3.55 mm 3.55 mm 3.55 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm

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