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MJE13007

产品描述POWER TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小46KB,共5页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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MJE13007概述

POWER TRANSISTOR

MJE13007规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码SFM
包装说明TO-220, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)5
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)80 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)4 MHz

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MJE13006/13007
MJE13006/13007
High Voltage Switch Mode Application
• High Speed Switching
• Suitable for Switching Regulator and Motor Control
1
TO-220
2.Collector
3.Emitter
1.Base
NPN Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
STG
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter- Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Current (Pulse)
Base Current
Collector Dissipation (T
C
=25°C)
Junction Temperature
Storage Temperature
Parameter
: MJE13006
: MJE13007
: MJE13006
: MJE13007
Value
600
700
300
400
9
8
16
4
80
150
- 65 ~ 150
Units
V
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
Electrical Characteristics
T
C
=25°C unless otherwise noted
Symbol
BV
CEO
Parameter
Collector- Emitter Breakdown Voltage
: MJE13006
: MJE13007
Emitter Cut-off Current
*DC Current Gain
*Collector-Emitter Saturation Voltage
Test Condition
I
C
= 10mA, I
B
= 0
V
EB
= 9V, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 2A
V
CE
= 5V, I
C
= 5A
I
C
= 2A, I
B
= 0.4A
I
C
= 5A, I
B
= 1A
I
C
= 8A, I
B
= 2A
I
C
= 2A, I
B
= 0.4A
I
C
= 5A, I
B
= 1A
V
CB
= 10V, f = 0.1MHz
V
CE
= 10V, I
C
= 0.5A
V
CC
= 125V, I
C
= 5A
I
B1
= -I
B2
= 1A
R
L
= 50Ω
4
1.6
3
0.7
110
8
5
Min.
300
400
1
60
30
1
2
3
1.2
1.6
V
V
V
V
V
pF
MHz
µs
µs
µs
Typ.
Max.
Units
V
V
mA
I
EBO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
C
ob
f
T
t
ON
t
STG
t
F
*Base-Emitter Saturation Voltage
Output Capacitance
Current Gain Bandwidth Product
Turn ON Time
Storage Time
Fall Time
* Pulse test: PW≤300µs, Duty cycle≤2%
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, February 2001

MJE13007相似产品对比

MJE13007 MJE13006 MJE13006_13007
描述 POWER TRANSISTOR POWER TRANSISTOR POWER TRANSISTOR
是否Rohs认证 不符合 不符合 -
厂商名称 Fairchild Fairchild -
零件包装代码 SFM SFM -
包装说明 TO-220, 3 PIN TO-220, 3 PIN -
针数 3 3 -
Reach Compliance Code compliant compli -
最大集电极电流 (IC) 8 A 8 A -
集电极-发射极最大电压 400 V 300 V -
配置 SINGLE SINGLE -
最小直流电流增益 (hFE) 5 5 -
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB -
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 -
JESD-609代码 e0 e0 -
元件数量 1 1 -
端子数量 3 3 -
最高工作温度 150 °C 150 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
极性/信道类型 NPN NPN -
最大功率耗散 (Abs) 80 W 80 W -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 NO NO -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE -
端子位置 SINGLE SINGLE -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON -
标称过渡频率 (fT) 4 MHz 4 MHz -
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