MRF545: 产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, PNP, TO-39, TO-39, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小27KB，共1页; 制造商Advanced Semiconductor, Inc.

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MRF545概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, PNP, TO-39, TO-39, 3 PIN

MRF545规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Advanced Semiconductor, Inc.
零件包装代码	TO-39
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	0.4 A
集电极-发射极最大电压	70 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	15
最高频带	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码	TO-39
JESD-30 代码	O-MBCY-W3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	3.5 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	1400 MHz

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MRF545

PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The

ASI MRF545

is designed for

High Frequency and medium and high

resolution color video display monitors

as well as other Applications requiring

high breakdown characteristics.

PACKAGE STYLE TO-39

MAXIMUM RATINGS

DISS

STG

400 mA

70 V

100 V

3.5 W @ T

= 25 °C

20 mW/°C @ T

= 25 °C

-65 °C to +200 °C

50 °C/W

1 = EMITTER

2 = BASE

3 = COLLECTOR (CASE)

CHARACTERISTICS

SYMBOL

CEO

CBO

EBO

CBO

CES

U max

MAG

]

= 25 °C

NONE

TEST CONDITIONS

= 1.0 mA

= 100

µA

= 100

µA

= 80 V

= 6.0 V

= 25 V

= 10 V

= 50 mA

f = 250 MHz

f = 1.0 MHz

MINIMUM

100

3.0

TYPICAL

MAXIMUM

UNITS

1.0

1000

1400

2.5

14.5

12.5

100

µA

---

MHz

= 25 V

= 50 mA

f = 200 MHz

11.5

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE

•

NORTH HOLLYWOOD, CA 91605

•

(818) 982-1202

•

FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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