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F1200A: 产品描述12 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小101KB，共2页; 制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]; 标准

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12 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
entfamilyid	1562774
厂商名称	EIC [EIC discrete Semiconductors]
Objectid	8329171253
包装说明	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	compli
compound_id	1535846
其他特性	HIGH RELIABILITY
应用	EFFICIENCY
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.85 V
JESD-30 代码	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流	390 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	200 °C
最低工作温度	-50 °C
最大输出电流	12 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
参考标准	TS 16949
最大重复峰值反向电压	50 V
最大反向电流	25 µA
最大反向恢复时间	0.2 µs
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

	F1200A	F1200D
描述	12 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE	12 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否无铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	EIC [EIC discrete Semiconductors]	EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Code	compli	compli
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
应用	EFFICIENCY	EFFICIENCY
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.85 V	0.85 V
JESD-30 代码	O-PALF-W2	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流	390 A	390 A
元件数量	1	1
相数	1	1
端子数量	2	2
最高工作温度	200 °C	200 °C
最低工作温度	-50 °C	-50 °C
最大输出电流	12 A	12 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
参考标准	TS 16949	TS 16949
最大重复峰值反向电压	50 V	200 V
最大反向电流	25 µA	25 µA
最大反向恢复时间	0.2 µs	0.2 µs
表面贴装	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ