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TIM7785-45SL: 产品描述MICROWAVE POWER GaAs FET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小458KB，共4页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/; 标准

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TIM7785-45SL概述

MICROWAVE POWER GaAs FET

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Toshiba(东芝)
包装说明	HERMETIC SEALED, 2-16G1B, 2 PIN
针数	2
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
外壳连接	SOURCE
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	15 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	31 A
最大漏极电流 (ID)	20 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带	X BAND
JESD-30 代码	R-CDFM-F2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	DEPLETION MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	125 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	GALLIUM ARSENIDE

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