4 A, 800 V, 1.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
4 A, 800 V, 1.3 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 3 |
最小击穿电压 | 800 V |
加工封装描述 | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220, 3 PIN |
无铅 | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes |
中国RoHS规范 | Yes |
状态 | ACTIVE |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | FLANGE MOUNT |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子涂层 | MATTE TIN |
端子位置 | SINGLE |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
结构 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
壳体连接 | ISOLATED |
元件数量 | 1 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
通道类型 | N-CHANNEL |
场效应晶体管技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | GENERAL PURPOSE POWER |
最大漏电流 | 4 A |
额定雪崩能量 | 170 mJ |
最大漏极导通电阻 | 1.3 ohm |
最大漏电流脉冲 | 12 A |
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