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SPA04N80C3_08

产品描述4 A, 800 V, 1.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小370KB,共10页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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SPA04N80C3_08概述

4 A, 800 V, 1.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

4 A, 800 V, 1.3 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB

SPA04N80C3_08规格参数

参数名称属性值
端子数量3
最小击穿电压800 V
加工封装描述ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
中国RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸FLANGE MOUNT
端子形式THROUGH-HOLE
端子涂层MATTE TIN
端子位置SINGLE
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
壳体连接ISOLATED
元件数量1
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
通道类型N-CHANNEL
场效应晶体管技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式ENHANCEMENT
晶体管类型GENERAL PURPOSE POWER
最大漏电流4 A
额定雪崩能量170 mJ
最大漏极导通电阻1.3 ohm
最大漏电流脉冲12 A
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