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HY5PS561621BFP-Y5I

产品描述DDR DRAM, 16MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, FBGA-84
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文件大小821KB,共34页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY5PS561621BFP-Y5I概述

DDR DRAM, 16MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, FBGA-84

HY5PS561621BFP-Y5I规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA84,9X15,32
针数84
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.45 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)333 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B84
长度13 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量84
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织16MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA84,9X15,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度4,8
最大待机电流0.008 A
最大压摆率0.22 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8 mm

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HY5PS561621B(L)FP-xI
256Mb DDR2 SDRAM
HY5PS561621B(L)FP-xI
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev. 0.2 / Apr. 2008
1

HY5PS561621BFP-Y5I相似产品对比

HY5PS561621BFP-Y5I HY5PS561621BFP-S5I HY5PS561621BLFP-C4I HY5PS561621BLFP-E3I HY5PS561621BLFP-S5I HY5PS561621BLFP-Y5I HY5PS561621BFP-C4I HY5PS561621BFP-E3I
描述 DDR DRAM, 16MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, FBGA-84 DDR DRAM, 16MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84 DDR DRAM, 16MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84 DDR DRAM, 16MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84 DDR DRAM, 16MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84 DDR DRAM, 16MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84 DDR DRAM, 16MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, FBGA-84 DDR DRAM, 16MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84, FBGA-84
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 TFBGA, BGA84,9X15,32 TFBGA, BGA84,9X15,32 TFBGA, BGA84,9X15,32 TFBGA, BGA84,9X15,32 TFBGA, BGA84,9X15,32 TFBGA, BGA84,9X15,32 TFBGA, BGA84,9X15,32 TFBGA, BGA84,9X15,32
针数 84 84 84 84 84 84 84 84
Reach Compliance Code unknown compliant compliant compliant compliant compliant unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.45 ns 0.4 ns 0.5 ns 0.6 ns 0.4 ns 0.45 ns 0.5 ns 0.6 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 333 MHz 400 MHz 266 MHz 200 MHz 400 MHz 333 MHz 266 MHz 200 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8
JESD-30 代码 R-PBGA-B84 R-PBGA-B84 R-PBGA-B84 R-PBGA-B84 R-PBGA-B84 R-PBGA-B84 R-PBGA-B84 R-PBGA-B84
长度 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm
内存密度 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 16 16 16 16 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 84 84 84 84 84 84 84 84
字数 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words
字数代码 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 16MX16 16MX16 16MX16 16MX16 16MX16 16MX16 16MX16 16MX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA
封装等效代码 BGA84,9X15,32 BGA84,9X15,32 BGA84,9X15,32 BGA84,9X15,32 BGA84,9X15,32 BGA84,9X15,32 BGA84,9X15,32 BGA84,9X15,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260 260 260 260 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES YES YES
连续突发长度 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8
最大待机电流 0.008 A 0.008 A 0.007 A 0.006 A 0.008 A 0.008 A 0.007 A 0.006 A
最大压摆率 0.22 mA 0.24 mA 0.21 mA 0.2 mA 0.24 mA 0.22 mA 0.21 mA 0.2 mA
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 20 20 20 20 20 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) - SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
JESD-609代码 - e1 e1 e1 e1 e1 - -
端子面层 - Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) - -
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