电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

GS8662T06BGD-400T

产品描述DDR SRAM, 8MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165
产品类别存储    存储   
文件大小427KB,共31页
制造商GSI Technology
官网地址http://www.gsitechnology.com/
标准  
下载文档 详细参数 全文预览

GS8662T06BGD-400T概述

DDR SRAM, 8MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165

GS8662T06BGD-400T规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称GSI Technology
零件包装代码BGA
包装说明LBGA,
针数165
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间0.45 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码R-PBGA-B165
JESD-609代码e1
长度15 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型DDR SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量165
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度13 mm

文档预览

下载PDF文档
GS8662T20/38BD-550/500/450/400/350
GS8662T06/11BD-500/450/400/350
165-Bump BGA
Commercial Temp
Industrial Temp
Features
• 2.5 Clock Latency
• Simultaneous Read and Write SigmaDDR
TM
Interface
• JEDEC-standard pinout and package
• Double Data Rate interface
• Byte Write controls sampled at data-in time
• Burst of 2 Read and Write
• On-Die Termination (ODT) on Data (D), Byte Write (BW),
and Clock (K, K) inputs
• 1.8 V +100/–100 mV core power supply
• 1.5 V or 1.8 V HSTL Interface
• Pipelined read operation
• Fully coherent read and write pipelines
• ZQ pin for programmable output drive strength
• Data Valid Pin (QVLD) Support
• IEEE 1149.1 JTAG-compliant Boundary Scan
• 165-bump, 13 mm x 15 mm, 1 mm bump pitch BGA package
• RoHS-compliant 165-bump BGA package available
72Mb SigmaDDR
TM
-II+
Burst of 2 SRAM
550 MHz–350 MHz
1.8 V V
DD
1.8 V or 1.5 V I/O
SRAMs are just one element in a family of low power, low
voltage HSTL I/O SRAMs designed to operate at the speeds
needed to implement economical high performance
networking systems.
Clocking and Addressing Schemes
The GS8662T06/11/20/38BD SigmaDDR-II+ SRAMs are
synchronous devices. They employ two input register clock
inputs, K and K. K and K are independent single-ended clock
inputs, not differential inputs to a single differential clock input
buffer.
Each internal read and write operation in a SigmaDDR-II+ B2
RAM is two times wider than the device I/O bus. An input data
bus de-multiplexer is used to accumulate incoming data before
it is simultaneously written to the memory array. An output
data multiplexer is used to capture the data produced from a
single memory array read and then route it to the appropriate
output drivers as needed. Therefore, the address field of a
SigmaDDR-II+ B2 RAM is always one address pin less than
the advertised index depth (e.g., the 8M x 8 has an 4M
addressable index).
SigmaDDR-II™ Family Overview
The GS8662T06/11/20/38BD are built in compliance with the
SigmaDDR-II+ SRAM pinout standard for Common I/O
synchronous SRAMs. They are 75,497,472-bit (72Mb)
SRAMs. The GS8662T06/11/20/38BD SigmaDDR-II+
Parameter Synopsis (x18/x36)
-550
tKHKH
tKHQV
1.81 ns
0.29ns
-500
2.0 ns
0.33 ns
-450
2.2 ns
0.37 ns
-400
2.5 ns
0.45 ns
-350
2.86 ns
0.45 ns
Parameter Synopsis (x8/x9)
-500
tKHKH
tKHQV
2.0 ns
0.33 ns
-450
2.2 ns
0.37ns
-400
2.5 ns
0.45 ns
-350
2.86 ns
0.45 ns
Rev: 1.02b 11/2011
1/31
© 2011, GSI Technology
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
请问附图中的Tx和INTX有什么区别
请问下图中红色箭头标注的Tx和INTX有什么区别,2处 INTX上方的划线,是代表这个INTX过来的是低电平吗, 632541 ...
一沙一世 51单片机
准备DIY个具备VGA显示功能的学习版~~~大家给点建议?
如题, 近期 准备在DIY个具备vga显示功能的单片机学习版, 在功能确定上, 想听听大家的建议~~...
soso 单片机
为什么门电路很多都是反向的?
好多元件,喜欢用与非门,或非门,这样输入和输出都是取反的。感觉很麻烦,这里面有什么道理吗?...
kevinliu 嵌入式系统
STM32L476串口中断函数 无法使用 UART5_IRQHandler
这次解决办法,其实主要是我的问题:在 uart.h 里面宏定义 #define USART_USB_IRQHandler UART5_IRQHandler uart.c 文件里面 void USART_USB_IRQHandler (void) { ......
2638823746 stm32/stm8
非常顶怪的问题--STM8S105S6程序烧不进
具体情况是这样的: 单独烧写Option BYTE与Data Memory是可以烧写的,所以,排除接线错误问题。 但是无法烧写Program Memory,提示:failed to download application: error: swim prog error ......
威海 佟 stm32/stm8
想用MSP-EXP430FR5739实验板做个电动车码表
想用MSP-EXP430FR5739实验板做个电动车码表,初步规划一下功能, 1.里程计算 2.速度计算 3.电压,电流测量 4. 方向测量,不知道板载的加速度传感器能否测量方向? 有了FRAM,EPROM 也可以 ......
wlmwwx 微控制器 MCU

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 592  605  1921  208  1504  12  13  39  5  31 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved