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BYT261PI-200

产品描述60A, 200V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小65KB,共4页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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BYT261PI-200概述

60A, 200V, SILICON, RECTIFIER DIODE

BYT261PI-200规格参数

参数名称属性值
厂商名称ST(意法半导体)
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
应用FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.5 V
JESD-30 代码R-PUFM-D4
最大非重复峰值正向电流600 A
元件数量2
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流60 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大功率耗散200 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流60 µA
最大反向恢复时间0.1 µs
反向测试电压200 V
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER

BYT261PI-200相似产品对比

BYT261PI-200 BYT261PI-300
描述 60A, 200V, SILICON, RECTIFIER DIODE 60A, 300V, SILICON, RECTIFIER DIODE
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
应用 FAST RECOVERY FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.5 V 1.5 V
JESD-30 代码 R-PUFM-D4 R-PUFM-D4
最大非重复峰值正向电流 600 A 600 A
元件数量 2 2
相数 1 1
端子数量 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
最大输出电流 60 A 60 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
最大功率耗散 200 W 200 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 200 V 300 V
最大反向电流 60 µA 60 µA
最大反向恢复时间 0.1 µs 0.1 µs
反向测试电压 200 V 300 V
表面贴装 NO NO
端子形式 SOLDER LUG SOLDER LUG
端子位置 UPPER UPPER
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