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BU706D

产品描述TRANSISTOR 5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小101KB,共6页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BU706D概述

TRANSISTOR 5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power

BU706D规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性FORMED LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压700 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)6
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值100 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max1 V

BU706D相似产品对比

BU706D BU706
描述 TRANSISTOR 5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power 5A, 700V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown unknown
其他特性 FORMED LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE FORMED LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 5 A 5 A
集电极-发射极最大电压 700 V 700 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 6 6
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN
功耗环境最大值 100 W 100 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
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