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IMH4AT109

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小90KB,共2页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准  
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IMH4AT109概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon,

IMH4AT109规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e1
元件数量2
端子数量6
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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