SILICON CONTROLLED RECTIFIER,50V V(DRM),5A I(T),TO-220
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 标称电路换相断开时间 | 70 µs |
| 关态电压最小值的临界上升速率 | 50 V/us |
| 最大直流栅极触发电流 | 15 mA |
| 最大直流栅极触发电压 | 1.5 V |
| 最大维持电流 | 30 mA |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最大漏电流 | 2 mA |
| 通态非重复峰值电流 | 84 A |
| 最大通态电流 | 5000 A |
| 最高工作温度 | 110 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 断态重复峰值电压 | 50 V |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 触发设备类型 | SCR |
| TXN056 | TXN0510 | |
|---|---|---|
| 描述 | SILICON CONTROLLED RECTIFIER,50V V(DRM),5A I(T),TO-220 | SILICON CONTROLLED RECTIFIER,50V V(DRM),10A I(T),TO-220 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 标称电路换相断开时间 | 70 µs | 50 µs |
| 关态电压最小值的临界上升速率 | 50 V/us | 50 V/us |
| 最大直流栅极触发电流 | 15 mA | 15 mA |
| 最大直流栅极触发电压 | 1.5 V | 1.5 V |
| 最大维持电流 | 30 mA | 30 mA |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 最大漏电流 | 2 mA | 2 mA |
| 通态非重复峰值电流 | 84 A | 100 A |
| 最大通态电流 | 5000 A | 10000 A |
| 最高工作温度 | 110 °C | 110 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 断态重复峰值电压 | 50 V | 50 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 触发设备类型 | SCR | SCR |
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