S11499,S11499 pdf中文资料,S11499引脚图,S11499电路-Datasheet-电子工程世界

S11499: 产品描述Large area, enhanced near IR sensitivity, using a MEMS technology; 产品类别光电子/LED 光电; 文件大小416KB，共3页; 制造商Hamamatsu; 官网地址http://www.hamamatsu.com; 标准

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S11499概述

Large area, enhanced near IR sensitivity, using a MEMS technology

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Hamamatsu
包装说明	METAL, TO-5, 3 PIN
Reach Compliance Code	unknow
其他特性	HIGH RELIABILITY, HIGH SENSITIVITY
配置	SINGLE
最大暗电源	5 nA
红外线范围	YES
标称光电流	0.0078 mA
功能数量	1
最高工作温度	100 °C
最低工作温度	-40 °C
光电设备类型	PIN PHOTODIODE
峰值波长	1000 nm
最小反向击穿电压	30 V
形状	ROUND
尺寸	3 mm

	S11499	S11499-01
描述	Large area, enhanced near IR sensitivity, using a MEMS technology	Large area, enhanced near IR sensitivity, using a MEMS technology
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	Hamamatsu	Hamamatsu
包装说明	METAL, TO-5, 3 PIN	METAL, TO-8, 3 PIN
Reach Compliance Code	unknow	unknow
其他特性	HIGH RELIABILITY, HIGH SENSITIVITY	HIGH RELIABILITY, HIGH SENSITIVITY
配置	SINGLE	SINGLE
最大暗电源	5 nA	10 nA
红外线范围	YES	YES
标称光电流	0.0078 mA	0.021 mA
功能数量	1	1
最高工作温度	100 °C	100 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C
光电设备类型	PIN PHOTODIODE	PIN PHOTODIODE
峰值波长	1000 nm	1000 nm
最小反向击穿电压	30 V	30 V
形状	ROUND	ROUND
尺寸	3 mm	5 mm

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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