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BYV79EB-100T/R

产品描述DIODE 14 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小112KB,共4页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BYV79EB-100T/R概述

DIODE 14 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

BYV79EB-100T/R规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明R-PSSO-G2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性SURGE CAPABILITY
应用ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.4 V
JESD-30 代码R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流160 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最大输出电流14 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.03 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE

BYV79EB-100T/R相似产品对比

BYV79EB-100T/R BYV79EB-100
描述 DIODE 14 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode DIODE 14 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
Reach Compliance Code compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 SURGE CAPABILITY SURGE CAPABILITY
应用 ULTRA FAST SOFT RECOVERY ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接 CATHODE CATHODE
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流 160 A 160 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 2 2
最大输出电流 14 A 14 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 100 V 100 V
最大反向恢复时间 0.03 µs 0.03 µs
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE

 
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