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RSB6.8CSFH

产品描述Zener Diode, 6.8V V(Z), 15%, 0.1W, Silicon, Bidirectional, VMN2, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小610KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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RSB6.8CSFH概述

Zener Diode, 6.8V V(Z), 15%, 0.1W, Silicon, Bidirectional, VMN2, 2 PIN

RSB6.8CSFH规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明R-PDSO-F2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
最大击穿电压7.82 V
最小击穿电压5.78 V
击穿电压标称值6.8 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
最大非重复峰值反向功率耗散10 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.1 W
参考标准AEC-Q101
标称参考电压6.8 V
最大重复峰值反向电压3.5 V
最大反向电流0.5 µA
反向测试电压3.5 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差15%
工作测试电流1 mA

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AEC-Q101 Qualified
ESD Protection diode
RSB6.8CSFH
Application
ESD Protection, bi direction
Features
1) Ultra small mold type. (VMN2)
2) High reliability.
3) Bi chip-mounter, automatic mounting
is possible.
Dimensions
(Unit : mm)
Land size figure
(Unit : mm)
0.55
0.45
VMN2
Construction
Silicon epitaxial planar
Structure
Taping specifications(Unit
: mm)
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Symbol
Peak pulse power (tp=10×1000us)
Ppk
Power dissipation
P
Junction temperature
Tj
Storage temperature
Tstg
Operating temperature
Topor
Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Parameter
Symbol
Zener voltage
V
z
Reverse current
I
R
Capacitance between terminals
Ct
Limits
10
100
150
-55 to +150
-55 to +150
Unit
W
mW
°C
°C
°C
0.45
Min.
5.78
-
-
Typ.
-
-
15
Max.
7.82
0.5
-
Unit
V
µA
pF
Conditions
I
Z
=1mA
V
R
=3.5V
V
R
=0V , f=1MHz
www.rohm.com
©2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/2
2009.12 - Rev.A
0.5

 
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