DRAM Controller, 1M X 16, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | AMD(超微) |
零件包装代码 | LCC |
包装说明 | QCCJ, LDCC68,1.0SQ |
针数 | 68 |
Reach Compliance Code | unknow |
地址总线宽度 | 18 |
边界扫描 | NO |
外部数据总线宽度 | |
JESD-30 代码 | S-PQCC-J68 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 24.2062 mm |
低功率模式 | NO |
内存组织 | 1M X 16 |
区块数量 | 4 |
端子数量 | 68 |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | QCCJ |
封装等效代码 | LDCC68,1.0SQ |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 4.57 mm |
最大压摆率 | 280 mA |
最大供电电压 | 5.5 V |
最小供电电压 | 4.5 V |
标称供电电压 | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 24.2062 mm |
uPs/uCs/外围集成电路类型 | MEMORY CONTROLLER, DRAM |
Base Number Matches | 1 |
AM2968AJC | AM2968ADC | AM2968APC | AM2968A/BXC | |
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描述 | DRAM Controller, 1M X 16, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 | DRAM Controller, 1M X 16, CMOS, CDIP48, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48 | DRAM Controller, 1M X 16, CMOS, PDIP48, PLASTIC, DIP-48 | DRAM Controller, 1M X 16, CMOS, CDIP48, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
零件包装代码 | LCC | DIP | DIP | DIP |
包装说明 | QCCJ, LDCC68,1.0SQ | DIP, DIP48,.6 | DIP, DIP48,.6 | DIP, DIP48,.6 |
针数 | 68 | 48 | 48 | 48 |
Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow | unknown |
地址总线宽度 | 18 | 18 | 18 | 18 |
边界扫描 | NO | NO | NO | NO |
JESD-30 代码 | S-PQCC-J68 | R-CDIP-T48 | R-PDIP-T48 | R-CDIP-T48 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
长度 | 24.2062 mm | 60.96 mm | 61.849 mm | 60.96 mm |
低功率模式 | NO | NO | NO | NO |
内存组织 | 1M X 16 | 1M X 16 | 1M X 16 | 1M X 16 |
区块数量 | 4 | 4 | 4 | 4 |
端子数量 | 68 | 48 | 48 | 48 |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 125 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | QCCJ | DIP | DIP | DIP |
封装等效代码 | LDCC68,1.0SQ | DIP48,.6 | DIP48,.6 | DIP48,.6 |
封装形状 | SQUARE | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 4.57 mm | 4.445 mm | 5.715 mm | 4.445 mm |
最大压摆率 | 280 mA | 280 mA | 280 mA | 295 mA |
最大供电电压 | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | NO | NO | NO |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
端子位置 | QUAD | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
宽度 | 24.2062 mm | 15.24 mm | 15.24 mm | 15.24 mm |
uPs/uCs/外围集成电路类型 | MEMORY CONTROLLER, DRAM | MEMORY CONTROLLER, DRAM | MEMORY CONTROLLER, DRAM | MEMORY CONTROLLER, DRAM |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | - |
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