HCT801G4: 产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 90V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-6; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小21KB，共2页; 制造商TT Electronics plc; 官网地址http://www.ttelectronics.com/; 标准

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HCT801G4概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 90V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-6

HCT801G4规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	TT Electronics plc
包装说明	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N6
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
外壳连接	DRAIN
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压	90 V
最大漏极电流 (ID)	2 A
最大漏源导通电阻	3.2 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	10 pF
JESD-30 代码	R-CDSO-N6
JESD-609代码	e4
元件数量	2
端子数量	6
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	GOLD
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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HCT801

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

COMPLEMENTARY

SWITCHING TRANSISTORS IN A

HERMETICALLY SEALED

CERAMIC SURFACE MOUNT

PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY

APPLICATIONS

= 90V

D(on)

N-Channel = 1.9A

P-Channel = 0.5A

2.29 ± 0.20

(0.09 ± 0.008)

1.65 ± 0.13

(0.065 ± 0.005)

0.64 ± 0.08

(0.025 ± 0.003)

1.40 ± 0.15

(0.055 ± 0.006)

FEATURES

4.32 ± 0.13

(0.170 ± 0.005)

2.54 ± 0.13

(0.10 ± 0.005)

• COMPLEMENTARY N-CHANNEL /P-CHANNEL

MOSFETS

• HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT

PACKAGE

• CECC SCREENING OPTIONS

• GOLD PLATED CONTACTS

• TWO DEVICES SELECTED FOR VDS SWITCHING

TIME, AND CAPACITANCE SIMILARITY

0.23

rad.

(0.009)

1.27 ± 0.13

(0.05 ± 0.005)

6.22 ± 0.13

(0.245 ± 0.005)

LCC2 – Ceramic Surface Mount Package

P-CHANNEL

2 = Gate

1 = Drain

6 = Source

N-CHANNEL

3 =Gate

4 = Drain

5 = Source

DESCRIPTION

The HCT801 offers an N-Channel and P-Channel

MOS transistor packaged in a hermetic ceramic

surface mount package. The two devices are

similar in performance to the VN0109 N-Channel

device and VP0109 P-Channel device.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

case

= 25°C unless otherwise stated)

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current (Limited by Tj max)

N-Channel

P-Channel

Power Dissipation @ Tamb = 25°C (Both devices equally driven)

Power Dissipation @ TPCB = 25°C (Both devices equally driven)

TJ , Tstg Operating and Storage Tempererature

Note:

(1)

This rating is provided as an aid to designers. It is dependent upon mounting material and

methods and is not measureable as an outgoing test.

90V

20V

0.8A

0.5W Total

1.25W Total(1)

-55 to 150°C

Semelab plc.

Telephone +44(0)1455) 556565. Fax +44(0)1455) 552612.

E-mail:

sales@semelab.co.uk

Website:

http://www.semelab.co.uk

Prelim. 4/99

HCT801G4相似产品对比

	HCT801G4
描述	Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 90V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-6
是否Rohs认证	符合
厂商名称	TT Electronics plc
包装说明	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N6
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
外壳连接	DRAIN
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压	90 V
最大漏极电流 (ID)	2 A
最大漏源导通电阻	3.2 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	10 pF
JESD-30 代码	R-CDSO-N6
JESD-609代码	e4
元件数量	2
端子数量	6
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	GOLD
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
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