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SMBT3904PN

产品描述200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小845KB,共9页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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SMBT3904PN概述

200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

SMBT3904PN规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN AND PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
最大关闭时间(toff)300 ns
最大开启时间(吨)70 ns

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SMBT3904...PN
NPN / PNP Silicon Switching Transistor Array
High current gain
Low collector-emitter saturation voltage
Two (galvanic) internal isolated NPN / PNP
transistor in one package
Pb-free (RoHS compliant) package
Qualified according AEC Q101
SMBT3904PN
SMBT3904UPN
C1
6
B2
5
E2
4
TR2
TR1
1
E1
2
B1
3
C2
EHA07177
Type
SMBT3904PN
SMBT3904UPN
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Total power dissipation-
T
S
115 °C, SMBT3904PN
Marking
s3P
s3P
1=E
1=E
Pin Configuration
2=B
2=B
3=C
3=C
4=E
4=E
5=B
5=B
6=C
6=C
Package
SOT363
SC74
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
tot
Value
40
40
6
200
250
330
Unit
V
mA
mW
T
S
105 °C, SMBT3904UPN
Junction temperature
Storage temperature
T
j
T
stg
150
-65 ... 150
°C
1
2012-08-21

SMBT3904PN相似产品对比

SMBT3904PN SMBT3904UPN SMBT3904PNE6327HTSA1
描述 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT363-6
是否无铅 不含铅 不含铅 -
是否Rohs认证 符合 符合 -
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) -
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 -
针数 6 6 -
Reach Compliance Code compli compli -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
最大集电极电流 (IC) 0.2 A 0.2 A -
集电极-发射极最大电压 40 V 40 V -
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS -
最小直流电流增益 (hFE) 30 30 -
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6 -
湿度敏感等级 1 1 -
元件数量 2 2 -
端子数量 6 6 -
最高工作温度 150 °C 150 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
极性/信道类型 NPN AND PNP NPN AND PNP -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 YES YES -
端子形式 GULL WING GULL WING -
端子位置 DUAL DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON -
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz -
最大关闭时间(toff) 300 ns 300 ns -
最大开启时间(吨) 70 ns 70 ns -
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