IRFD310: 产品描述400mA, 400V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小816KB，共7页; 制造商Rochester Electronics; 官网地址https://www.rocelec.com/

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IRFD310概述

400mA, 400V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

IRFD310规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Rochester Electronics
Reach Compliance Code	unknown
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	400 V
最大漏极电流 (ID)	0.4 A
最大漏源导通电阻	3.6 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDIP-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	COMMERCIAL
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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IRFD310相似产品对比

	IRFD310	IRFD313	IRFD311
描述	400mA, 400V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET	300mA, 350V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET	400mA, 350V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
厂商名称	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	400 V	350 V	350 V
最大漏极电流 (ID)	0.4 A	0.3 A	0.4 A
最大漏源导通电阻	3.6 Ω	5 Ω	3.6 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDIP-T3	R-PDIP-T3	R-PDIP-T3
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
表面贴装	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
是否无铅	-	含铅	含铅
是否Rohs认证	-	不符合	不符合
JESD-609代码	-	e0	e0
湿度敏感等级	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
峰值回流温度（摄氏度）	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
端子面层	-	TIN LEAD	TIN LEAD
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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