IRFD9123: 产品描述800mA, 80V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小838KB，共6页; 制造商Rochester Electronics; 官网地址https://www.rocelec.com/

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IRFD9123概述

800mA, 80V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

IRFD9123规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Rochester Electronics
Reach Compliance Code	unknown
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	80 V
最大漏极电流 (ID)	0.8 A
最大漏源导通电阻	0.8 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDIP-T3
JESD-609代码	e0
湿度敏感等级	NOT SPECIFIED
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	P-CHANNEL
认证状态	COMMERCIAL
表面贴装	NO
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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IRFD9123相似产品对比

	IRFD9123	IRFD9120
描述	800mA, 80V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET	Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIP-4
是否无铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Rochester Electronics	Rochester Electronics
Reach Compliance Code	unknown	unknown
外壳连接	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	80 V	100 V
最大漏极电流 (ID)	0.8 A	1 A
最大漏源导通电阻	0.8 Ω	0.6 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDIP-T3	R-PDIP-T4
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	1	1
端子数量	3	4
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL
认证状态	COMMERCIAL	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子面层	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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