Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, COMPACT, HD-1, SIMILAR TO MO-001AN, DIP-4
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 包装说明 | COMPACT, HD-1, SIMILAR TO MO-001AN, DIP-4 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 50 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 1.7 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 1.7 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.2 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T4 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1 W |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| IRFD010 | |
|---|---|
| 描述 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, COMPACT, HD-1, SIMILAR TO MO-001AN, DIP-4 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 包装说明 | COMPACT, HD-1, SIMILAR TO MO-001AN, DIP-4 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 50 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 1.7 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 1.7 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.2 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T4 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1 W |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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