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IRFD113

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小101KB,共1页
制造商Thomson Consumer Electronics
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IRFD113概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

IRFD113规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Thomson Consumer Electronics
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.8 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
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