IPI041N12N3G,IPI041N12N3G pdf中文资料,IPI041N12N3G引脚图,IPI041N12N3G电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IPI041N12N3G

IPI041N12N3G: 产品描述120 A, 120 V, 0.0038 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小501KB，共11页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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IPI041N12N3G概述

120 A, 120 V, 0.0038 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

120 A, 120 V, 0.0038 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-263AB

IPI041N12N3G规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
零件包装代码	TO-262AA
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	3
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	900 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	120 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	120 A
最大漏极电流 (ID)	120 A
最大漏源导通电阻	0.0041 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-262AA
JESD-30 代码	R-PSIP-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	480 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

IPI041N12N3G相似产品对比

	IPI041N12N3G	IPB038N12N3G	IPP041N12N3G
描述	120 A, 120 V, 0.0038 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB	120 A, 120 V, 0.0038 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB	120 A, 120 V, 0.0041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
零件包装代码	TO-262AA	D2PAK	TO-220AB
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3	GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3	4	3
Reach Compliance Code	compli	_compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	900 mJ	900 mJ	900 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	120 V	120 V	120 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	120 A	120 A	120 A
最大漏极电流 (ID)	120 A	120 A	120 A
最大漏源导通电阻	0.0041 Ω	0.0038 Ω	0.0041 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-262AA	TO-263AB	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSIP-T3	R-PSSO-G2	R-PSFM-T3
元件数量	1	1	1
端子数量	3	2	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	300 W	300 W	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	480 A	480 A	480 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	YES	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON

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