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BSC159N10LSFG

产品描述9.4 A, 100 V, 0.0159 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小428KB,共10页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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BSC159N10LSFG概述

9.4 A, 100 V, 0.0159 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

9.4 A, 100 V, 0.0159 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管

BSC159N10LSFG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas)155 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)63 A
最大漏极电流 (ID)9.4 A
最大漏源导通电阻0.0159 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-F5
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)114 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)252 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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