15 A, 100 V, 0.24 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
15 A, 100 V, 0.24 ohm, P沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-252AA
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 零件包装代码 | TO-220AB |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas） | 230 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 15 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 15 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.24 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 128 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 60 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | MATTE TIN |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| SPP15P10PG | SPD15P10PG | SPP15P10P | SPP15P10P_09 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | 15 A, 100 V, 0.24 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA | 15 A, 100 V, 0.24 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA | 15 A, 100 V, 0.24 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA | 15 A, 100 V, 0.24 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | - |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) | - |
| 零件包装代码 | TO-220AB | TO-252AA | TO-220AB | - |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | - |
| 针数 | 3 | 4 | 3 | - |
| Reach Compliance Code | compli | compli | compli | - |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | - |
| 元件数量 | 1 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 3 | 2 | - | 2 |
| 表面贴装 | NO | YES | - | YES |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING | - | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | - | SINGLE |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | - | SILICON |
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