Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, G, 2 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Microsemi |
包装说明 | O-LALF-W2 |
针数 | 2 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | METALLURGICALLY BONDED, HIGH RELIABILITY |
应用 | ULTRA FAST RECOVERY POWER |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码 | O-LALF-W2 |
JESD-609代码 | e0 |
最大非重复峰值正向电流 | 175 A |
元件数量 | 1 |
相数 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 155 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
最大输出电流 | 12 A |
封装主体材料 | GLASS |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
最大反向恢复时间 | 0.03 µs |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
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