IC 4-CHANNEL, DIFFERENTIAL MULTIPLEXER, PQCC20, PLASTIC, LCC-20, Multiplexer or Switch
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) |
零件包装代码 | QLCC |
包装说明 | PLASTIC, LCC-20 |
针数 | 20 |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | FAULT PROTECTED; OVERVOLTAGE PROTECTION |
模拟集成电路 - 其他类型 | DIFFERENTIAL MULTIPLEXER |
JESD-30 代码 | S-PQCC-J20 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 8.9662 mm |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
信道数量 | 4 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 20 |
标称断态隔离度 | 68 dB |
通态电阻匹配规范 | 10 Ω |
最大通态电阻 (Ron) | 300 Ω |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | QCCJ |
封装等效代码 | LDCC20,.4SQ |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 12/+-15 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 4.57 mm |
最大信号电流 | 0.02 A |
最大供电电流 (Isup) | 0.2 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
表面贴装 | YES |
最长断开时间 | 300 ns |
最长接通时间 | 300 ns |
切换 | BREAK-BEFORE-MAKE |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 8.9662 mm |
ADG529FBP | ADG529FBN | ADG529FTQ | |
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描述 | IC 4-CHANNEL, DIFFERENTIAL MULTIPLEXER, PQCC20, PLASTIC, LCC-20, Multiplexer or Switch | IC 4-CHANNEL, DIFFERENTIAL MULTIPLEXER, PDIP18, PLASTIC, DIP-18, Multiplexer or Switch | IC 4-CHANNEL, DIFFERENTIAL MULTIPLEXER, CDIP18, CERDIP-18, Multiplexer or Switch |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) | ADI(亚德诺半导体) | ADI(亚德诺半导体) |
零件包装代码 | QLCC | DIP | DIP |
包装说明 | PLASTIC, LCC-20 | PLASTIC, DIP-18 | CERDIP-18 |
针数 | 20 | 18 | 18 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
其他特性 | FAULT PROTECTED; OVERVOLTAGE PROTECTION | FAULT PROTECTED; OVERVOLTAGE PROTECTION | FAULT PROTECTED; OVERVOLTAGE PROTECTION |
模拟集成电路 - 其他类型 | DIFFERENTIAL MULTIPLEXER | DIFFERENTIAL MULTIPLEXER | DIFFERENTIAL MULTIPLEXER |
JESD-30 代码 | S-PQCC-J20 | R-PDIP-T18 | R-GDIP-T18 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V | -15 V |
信道数量 | 4 | 4 | 4 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 20 | 18 | 18 |
标称断态隔离度 | 68 dB | 68 dB | 68 dB |
通态电阻匹配规范 | 10 Ω | 10 Ω | 10 Ω |
最大通态电阻 (Ron) | 300 Ω | 300 Ω | 300 Ω |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码 | QCCJ | DIP | DIP |
封装等效代码 | LDCC20,.4SQ | DIP18,.3 | DIP18,.3 |
封装形状 | SQUARE | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | 12/+-15 V | 12/+-15 V | 12/+-15 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 4.57 mm | 5.33 mm | 5.08 mm |
最大信号电流 | 0.02 A | 0.02 A | 0.02 A |
最大供电电流 (Isup) | 0.2 mA | 0.2 mA | 0.2 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | 15 V |
表面贴装 | YES | NO | NO |
最长断开时间 | 300 ns | 300 ns | 300 ns |
最长接通时间 | 300 ns | 300 ns | 300 ns |
切换 | BREAK-BEFORE-MAKE | BREAK-BEFORE-MAKE | BREAK-BEFORE-MAKE |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
端子位置 | QUAD | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
宽度 | 8.9662 mm | 7.62 mm | 7.62 mm |
长度 | 8.9662 mm | 22.48 mm | - |
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