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ADG529FBP

产品描述IC 4-CHANNEL, DIFFERENTIAL MULTIPLEXER, PQCC20, PLASTIC, LCC-20, Multiplexer or Switch
产品类别模拟混合信号IC    信号电路   
文件大小194KB,共4页
制造商ADI(亚德诺半导体)
官网地址https://www.analog.com
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ADG529FBP概述

IC 4-CHANNEL, DIFFERENTIAL MULTIPLEXER, PQCC20, PLASTIC, LCC-20, Multiplexer or Switch

ADG529FBP规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ADI(亚德诺半导体)
零件包装代码QLCC
包装说明PLASTIC, LCC-20
针数20
Reach Compliance Codeunknown
其他特性FAULT PROTECTED; OVERVOLTAGE PROTECTION
模拟集成电路 - 其他类型DIFFERENTIAL MULTIPLEXER
JESD-30 代码S-PQCC-J20
JESD-609代码e0
长度8.9662 mm
标称负供电电压 (Vsup)-15 V
信道数量4
功能数量1
端子数量20
标称断态隔离度68 dB
通态电阻匹配规范10 Ω
最大通态电阻 (Ron)300 Ω
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC20,.4SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源12/+-15 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.57 mm
最大信号电流0.02 A
最大供电电流 (Isup)0.2 mA
标称供电电压 (Vsup)15 V
表面贴装YES
最长断开时间300 ns
最长接通时间300 ns
切换BREAK-BEFORE-MAKE
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8.9662 mm

ADG529FBP相似产品对比

ADG529FBP ADG529FBN ADG529FTQ
描述 IC 4-CHANNEL, DIFFERENTIAL MULTIPLEXER, PQCC20, PLASTIC, LCC-20, Multiplexer or Switch IC 4-CHANNEL, DIFFERENTIAL MULTIPLEXER, PDIP18, PLASTIC, DIP-18, Multiplexer or Switch IC 4-CHANNEL, DIFFERENTIAL MULTIPLEXER, CDIP18, CERDIP-18, Multiplexer or Switch
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 ADI(亚德诺半导体) ADI(亚德诺半导体) ADI(亚德诺半导体)
零件包装代码 QLCC DIP DIP
包装说明 PLASTIC, LCC-20 PLASTIC, DIP-18 CERDIP-18
针数 20 18 18
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
其他特性 FAULT PROTECTED; OVERVOLTAGE PROTECTION FAULT PROTECTED; OVERVOLTAGE PROTECTION FAULT PROTECTED; OVERVOLTAGE PROTECTION
模拟集成电路 - 其他类型 DIFFERENTIAL MULTIPLEXER DIFFERENTIAL MULTIPLEXER DIFFERENTIAL MULTIPLEXER
JESD-30 代码 S-PQCC-J20 R-PDIP-T18 R-GDIP-T18
JESD-609代码 e0 e0 e0
标称负供电电压 (Vsup) -15 V -15 V -15 V
信道数量 4 4 4
功能数量 1 1 1
端子数量 20 18 18
标称断态隔离度 68 dB 68 dB 68 dB
通态电阻匹配规范 10 Ω 10 Ω 10 Ω
最大通态电阻 (Ron) 300 Ω 300 Ω 300 Ω
最高工作温度 85 °C 85 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 QCCJ DIP DIP
封装等效代码 LDCC20,.4SQ DIP18,.3 DIP18,.3
封装形状 SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 12/+-15 V 12/+-15 V 12/+-15 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 4.57 mm 5.33 mm 5.08 mm
最大信号电流 0.02 A 0.02 A 0.02 A
最大供电电流 (Isup) 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA
标称供电电压 (Vsup) 15 V 15 V 15 V
表面贴装 YES NO NO
最长断开时间 300 ns 300 ns 300 ns
最长接通时间 300 ns 300 ns 300 ns
切换 BREAK-BEFORE-MAKE BREAK-BEFORE-MAKE BREAK-BEFORE-MAKE
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 QUAD DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 8.9662 mm 7.62 mm 7.62 mm
长度 8.9662 mm 22.48 mm -
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