BFQ67-GS08: 产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Millimeter Wave Band, Silicon, NPN, PLASTIC PACKAGE-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小432KB，共9页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com

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BFQ67-GS08概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Millimeter Wave Band, Silicon, NPN, PLASTIC PACKAGE-3

BFQ67-GS08规格参数

	BFQ67-GS08	BFQ67-GS18
描述	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Millimeter Wave Band, Silicon, NPN, PLASTIC PACKAGE-3	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Millimeter Wave Band, Silicon, NPN, PLASTIC PACKAGE-3
厂商名称	Vishay(威世)	Vishay(威世)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3	3
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	LOW NOISE	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)	0.05 A	0.05 A
集电极-发射极最大电压	10 V	10 V
配置	SINGLE	SINGLE
最高频带	MILLIMETER WAVE BAND	MILLIMETER WAVE BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	7500 MHz	7500 MHz

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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