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BSZ180P03NS3EG

产品描述9 A, 30 V, 0.018 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小297KB,共9页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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BSZ180P03NS3EG概述

9 A, 30 V, 0.018 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

9 A, 30 V, 0.018 ohm, P沟道, 硅, POWER, 场效应管

BSZ180P03NS3EG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明GREEN, PLASTIC, TSDSON-8
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性ESD PROTECTED
雪崩能效等级(Eas)48 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)39.6 A
最大漏极电流 (ID)9 A
最大漏源导通电阻0.018 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码S-PDSO-F5
湿度敏感等级3
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)158 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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soso 聊聊、笑笑、闹闹

 
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