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BSP299: 产品描述SIPMOS Small-Signal Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小509KB，共10页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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BSP299概述

SIPMOS Small-Signal Transistor

	BSP299	BSP299H6327
描述	SIPMOS Small-Signal Transistor	Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-4
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数	4	4
Reach Compliance Code	compli	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	130 mJ	130 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.4 A	0.4 A
最大漏极电流 (ID)	0.4 A	0.4 A
最大漏源导通电阻	4 Ω	4 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4
元件数量	1	1
端子数量	4	4
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	1.8 W	1.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	1.6 A	1.6 A
表面贴装	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ