IDT78C16A150LB概述

EEPROM, 2KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CQCC32

IDT78C16A150LB规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
包装说明	QCCN, LCC32,.45X.55
Reach Compliance Code	not_compliant
最长访问时间	150 ns
命令用户界面	NO
数据轮询	YES
耐久性	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-XQCC-N32
JESD-609代码	e0
内存密度	16384 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
端子数量	32
字数	2048 words
字数代码	2000
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	2KX8
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	QCCN
封装等效代码	LCC32,.45X.55
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流	0.0009 A
最大压摆率	0.125 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	6
切换位	NO
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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