BBY58-03W,BBY58-03W pdf中文资料,BBY58-03W引脚图,BBY58-03W电路-Datasheet-电子工程世界

BBY58-03W: 产品描述18.3 pF, 10 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小112KB，共10页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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BBY58-03W概述

18.3 pF, 10 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE

BBY58-03W规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
零件包装代码	SOD
包装说明	R-PDSO-G2
针数	2
制造商包装代码	SOD-323
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOW INDUCTANCE
最小击穿电压	10 V
配置	SINGLE
二极管电容容差	4.89%
最小二极管电容比	1.15
标称二极管电容	18.3 pF
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-G2
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	10 V
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
变容二极管分类	HYPERABRUPT

BBY58-03W相似产品对比

	BBY58-03W	BBY58	BBY58-02L	BBY58-02W	BBY58-06W	BBY58-05W	BBY58_07
描述	18.3 pF, 10 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE	18.3 pF, 10 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE	18.3 pF, 10 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE	18.3 pF, 10 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE	18.3 pF, 10 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE	18.3 pF, 10 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE	18.3 pF, 10 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
是否无铅	不含铅	-	-	不含铅	不含铅	不含铅	-
是否Rohs认证	符合	-	符合	符合	符合	符合	-
厂商名称	Infineon(英飞凌)	-	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	-	-
零件包装代码	SOD	-	DFN	-	SC-70	SC-70	-
包装说明	R-PDSO-G2	-	LEADLESS, TSLP-2	R-PDSO-F2	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	-
针数	2	-	2	2	3	3	-
Reach Compliance Code	compli	-	compli	compli	compli	compli	-
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	-
其他特性	LOW INDUCTANCE	-	-	LOW INDUCTANCE	LOW INDUCTANCE	LOW INDUCTANCE	-
最小击穿电压	10 V	-	10 V	10 V	10 V	10 V	-
配置	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	-
二极管电容容差	4.89%	-	4.89%	4.89%	4.89%	4.89%	-
最小二极管电容比	1.15	-	1.15	1.15	1.15	1.15	-
标称二极管电容	18.3 pF	-	18.3 pF	18.3 pF	18.3 pF	18.3 pF	-
二极管元件材料	SILICON	-	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	-
二极管类型	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	-	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	-
JESD-30 代码	R-PDSO-G2	-	R-XBCC-N2	R-PDSO-F2	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	-
湿度敏感等级	1	-	-	1	1	1	-
元件数量	1	-	1	1	2	2	-
端子数量	2	-	2	2	3	3	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	UNSPECIFIED	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	SMALL OUTLINE	-	CHIP CARRIER	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-
最大重复峰值反向电压	10 V	-	10 V	10 V	10 V	10 V	-
表面贴装	YES	-	YES	YES	YES	YES	-
端子形式	GULL WING	-	NO LEAD	FLAT	GULL WING	GULL WING	-
端子位置	DUAL	-	BOTTOM	DUAL	DUAL	DUAL	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
变容二极管分类	HYPERABRUPT	-	HYPERABRUPT	HYPERABRUPT	HYPERABRUPT	HYPERABRUPT	-

推荐资源

采用MC34063系列构成的极性反转型稳压电路图

氢气探测仪电路

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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