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BBY56-02W

产品描述40 pF, 10 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小70KB,共7页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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BBY56-02W概述

40 pF, 10 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE

BBY56-02W规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明R-PDSO-F2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性LOW INDUCTANCE
配置SINGLE
二极管电容容差7.5%
最小二极管电容比2.15
标称二极管电容40 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压10 V
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

BBY56-02W相似产品对比

BBY56-02W BBY56 BBY56-03W BBY56_07
描述 40 pF, 10 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE 40 pF, 10 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE 40 pF, 10 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE 40 pF, 10 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE

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