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MIC94031BM4

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 13.5V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-143, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小314KB,共7页
制造商Western Digital Corp
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MIC94031BM4概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 13.5V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-143, 4 PIN

MIC94031BM4规格参数

参数名称属性值
厂商名称Western Digital Corp
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接SUBSTRATE
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压13.5 V
最大漏极电流 (ID)1 A
最大漏源导通电阻1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

MIC94031BM4相似产品对比

MIC94031BM4
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 13.5V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-143, 4 PIN
厂商名称 Western Digital Corp
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code unknown
外壳连接 SUBSTRATE
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压 13.5 V
最大漏极电流 (ID) 1 A
最大漏源导通电阻 1 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G4
元件数量 1
端子数量 4
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
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