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KM41C16001J-6

产品描述Nibble Mode DRAM, 16MX1, 60ns, CMOS, PDSO24, PLASTIC, SOJ-28/24
产品类别存储    存储   
文件大小60KB,共1页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM41C16001J-6概述

Nibble Mode DRAM, 16MX1, 60ns, CMOS, PDSO24, PLASTIC, SOJ-28/24

KM41C16001J-6规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ, SOJ24/28,.44
针数24
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式NIBBLE
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDSO-J24
JESD-609代码e0
长度18.42 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型NIBBLE MODE DRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量24
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16MX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ24/28,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度3.66 mm
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm
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