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BU326

产品描述Bipolar Transistors;NPN;6A;375V;TO-3
文件大小207KB,共2页
制造商Inchange Semiconductor
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BU326概述

Bipolar Transistors;NPN;6A;375V;TO-3

BU326规格参数

参数名称属性值
厂商名称Inchange Semiconductor
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown

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isc
Silicon NPN Power Transistor
BU326
DESCRIPTION
·Collector-Emitter
Sustaining Voltage-
: V
CEO(SUS)
= 375V(Min)
·Low
Collector-Emitter Saturation Voltage-
: V
CE(
sat
)
= 1.5V(Max.) @ I
C
= 2.5A
·Minimum
Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed
for use in operating in color TV receivers chopper
supplies.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
a
=25
℃)
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
J
T
stg
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current-Continuous
Collector Current-Peak
Base Current-Continuous
Collector Power Dissipation
@ T
C
=25℃
Junction Temperature
Storage Temperature Range
VALUE
800
375
10
6
8
3
75
150
-65~150
UNIT
V
V
V
A
A
A
W
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
R
th j-c
PARAMETER
Thermal Resistance, Junction to Case
MAX
2.33
UNIT
℃/W
isc website
www.iscsemi.com
1
isc & iscsemi
is registered trademark

 
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