Insulated Gate Bipolar Transistor, 3A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, FULL PACK-3
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code | compliant |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 3 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 310 ns |
标称接通时间 (ton) | 14.2 ns |
IKA03N120H2XK | IKA03N120H2XKSA1 | |
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描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 3A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, FULL PACK-3 | IGBT 1200V 8.2A 29W TO220-3 |
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