电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

IKA03N120H2XK

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 3A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, FULL PACK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小499KB,共14页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

IKA03N120H2XK概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 3A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, FULL PACK-3

IKA03N120H2XK规格参数

参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)310 ns
标称接通时间 (ton)14.2 ns

IKA03N120H2XK相似产品对比

IKA03N120H2XK IKA03N120H2XKSA1
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 3A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, FULL PACK-3 IGBT 1200V 8.2A 29W TO220-3

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 183  1051  1211  1577  1584 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved